Studi Pengaruh SnO2 (Timah Oksida) Sebagai Lapisan Penghantar Elektron Pada Sel Surya Menggunakan Optimisasi Berbasis Simulasi Transfer Matrix

Abstract

Maxwell Peptu Limbong 102318055. “Studi Pengaruh SnO2 (Timah Oksida) Sebagai Lapisan Penghantar Elektron Pada Sel Surya Menggunakan Optimisasi Berbasis Simulasi Transfer Matrix” Pada era modern ini energi merupakan salah satu faktor kebutuhan yang tidak bisa terlepas dari kehidupan manusia. Energi yang paling sering digunakan salah satunya yaitu energi listrik. Hasil dari statistik terdahulu menunjukkan bahwa permintaan Negara Indonesia akan energi listrik selalu meningkat setiap tahunnya. Sel surya muncul sebagai salah satu energi baru terbarukan yang bisa menjadi solusi penambahan penawaran energi listrik dikarenakan persentasenya yang masih kecil di Negara Indonesia. Sel surya hingga saat ini masih didominasi oleh material Semikonduktor Silikon. Thin Film Photovoltaic hadir untuk menjadi jenis sel surya yang baru dikarenakan kelebihannya dalam menurunkan biaya pembuatan sel surya. Penggunaan SnO2 sebagai material lapisan penghantar elektron sebagai alternatif terhadap dominasi TiO2 sebagai material lapisan penghantar elektron perlu dikaji agar memberikan informasi yang lebih baik dalam penentuan performa optimal pada Thin-Film . Adapun metode yang digunakan yaitu dengan menggunakan simulasi transfer matrix dengan menggunakan MATLAB. Susunan layer pada thin film yang digunakan yaitu FTO/SnO2/Perovskite/CuSCN/Ag. Agar dapat memberikan hasil yang signifikan pada hasi Jsc maka ketebalan layer sesuai urutan susunan layer yaitu 100 nm/20 nm/950 nm/140 nm/100 nm.